容量10倍提升三维构造的东芝新型闪存

东芝日前发布了全新设计的NAND闪存产品，这一全新的闪存采用了新的结构，叫做新型三维存储单元阵列技术。采用这种技术，主要是为了实现NAND闪存的大容量化。

和普通的NAND闪存的层叠是构造相比，这种新型闪存采用了在闪存芯片垂直位置打孔，贯穿整个芯片，然后加入硅电极。通过硅电极周围产生的氮化硅膜进行的数据的保存。据称新型NAND闪存的容量可以达到10倍现在产品的水平。