NAND

2026年第三季度存储涨价节奏放缓，DRAM环比上涨13%至18%，NAND环比上涨10%至15%。相较前两个季度60%-100%的价格暴涨，涨幅虽已大幅收窄…

Intel宣布部分处理器涨价并曝光Nova Lake新规格，DRAM与NAND价格涨势趋缓但仍将上行，长江存储SSD进入联想消费级笔记本供应链，显存成本上涨或推…

江波龙发布业内首款集成封装mSSD（Micro SSD），采用Wafer级系统级封装工艺，将主控、NAND闪存、PMIC等关键元件一次性整合进单一封装体内，重构…

消息表明三星有望从其第10代NAND开始采用长江存储的专利混合键合技术。

消息称铠侠可能在2024年12月开始实施减产，以阻止闪存市场价格进一步下跌。

SK海力士宣布已经量产全球最高的321层1Tb TLC 4D NAND闪存，在数据传输速度以及能效上都带来进一步提升。

三星宣布启动第9代V-NAND闪存当中1Tb容量的QLC闪存，进一步巩固了三星在高容量、高性能NAND闪存市场中的地位。

美光今日宣布，其采用第九代（G9）TLC NAND技术美光2560 SSD已开始出货。

最新的消息表明SK海力士和三星目前都正在对东京电子最新的低温蚀刻设备进行测试，这一设备对于提升3D NAND的堆叠层数有着更加重大的意义。

地震过后内存制造商已经停止披露2024年第二季度DRAM内存合约报价。这意味着内存和储存很有可能即将迎来新的涨价周期和理由。

据TrendForce集邦咨询集邦咨询研究显示，由于供应商严格控制产出，NAND Flash第四季合约价全面起涨，涨幅约8~13%。

西部数据和铠侠（Kioxia）此前已经就NAND闪存生产业务合并进行了一段时间的谈判，目前即将敲定最终计划。