不平凡的换代四代智能酷睿三大变革

22纳米及3D晶体管技术

万众瞩目的第四代智能英特尔酷睿处理器终于在本月正式的发布了。研发代号为“Haswell”的第四代智能英特尔酷睿处理器依然采用了22纳米制程工艺与3D晶体管技术，按照英特尔“Tick-Tock”芯片技术发展的战略模式，Haswell并没有对制程工艺进行升级，而是将22纳米制程推向了一个更为成熟的高度。也就是说，Haswell将作为英特尔22纳米制程的最终形态而存在。

如果要问第四代智能英特尔酷睿处理器究竟带来了那些的改变，编辑简单的归结为以下三点：① 采用业界领先的22纳米制程工艺，而且经历此次换代工艺更加成熟；② 采用革命性的3D晶体管技术，大幅度提升处理器的能耗比；③新一代核芯显卡性能近乎翻倍的提升，带来更棒的游戏体验。接下来我们就从这三点入手，为您详细解读第四代智能英特尔酷睿处理器。

22纳米及3D晶体管技术

全新22nm制程工艺可以在大量增加晶体管的同时有效得控制芯片的体积，同时在低电压下可将性能提高37%。一个句号上就可以容纳超过600万个22纳米晶体管，是不是很惊人呢？更重要的是采用了革命性的3-D三栅极晶体管技术，从而使得处理器晶体管数量达到十四亿！

3D晶体管技术代表了晶体管技术本质上的转变，晶体管通道增加到第三维度，电流是从通道的三面来控制的，而不像传统平面晶体管，只从顶部控制。就像摩天大楼通过向天空发展而使得最大限度地利用城市空间，3D晶体管技术同样提供了一种提高晶体管密度的创新方法。

3D晶体管技术能更好的控制晶体管的开关、最大程度有效利用晶体管开启状态时的电流（实现最佳性能），并在关闭状态时最大程度减少电流（降低漏电）。与之前的平面晶体管相比，22纳米的3-D三栅极晶体管将提供前所未有的高性能和能效，在低电压下将性能提高了37%，并且只需要消耗不到一半的电量，就能达到与32纳米芯片中二维平面晶体管一样的性能。

新核芯显卡性能翻倍

酷睿i7-4770K融合的HD4600核芯显卡相比上代产品拥有者近乎翻倍的性能提升，其最终P1488分的成绩已经完全超过了当前主流的入门级独立显卡。而在CPU子项以及独显模式下，酷睿i7-4770K较之上代产品也有着可见的性能提升。如果您是一位追求极致的游戏玩家，那么酷睿i7-4770K相信可以满足您的需求。