第一页，文章前言
前言 ： 一种电脑配件在市场上的成功与否，最重要的当然是其性能和价格，一个产品或者一个品牌可以令消费者舍得去投资购买，那么就意味着他的成功。言归正传，今日为大家带来的话题是DDR2的内存。话说DDR2，他在市场上存活的时间并不很长，大概在1年前的这个时候，DDR2的内存伴随着Intel 915/925系列的主板而被带来到这个优胜劣汰的自然环境中。刚开始的时候，DDR2内存的频率仅仅为400MHz并且其性能参数延迟时间等各方面相比起如日中天的DDR内存毫无优势可言，并且其高昂的价格更不能让喜欢尝新的DIY用户所接受，还被宣传为革命性产品实在称之有愧。在短短的一年时间内，DDR2内存的工作频率随着内存厂商的投入改进制程，因而得到了有效的提高。目前主流的DDR2 533MHz已经被LGA775平台的用户大量选用，而最高端的DDR2 1066MHz已经在台北的Computex崭露头角。
在短短的时间内，DDR2内存得到如此大的发展，这也证明了DDR2内存在市场上是有需求并且其具有一定的特点和优势可以满足广大用户的需求。今天，我们要为大家带来的是一款高端的DDR2内存产品的测试，为SAMSUNG PC2-6400U即DDR2 800的内存模块，如此高频的内存模块可以理所当然地为高端平台带来更大的带宽，从而换来更高的系统性能。在测试之前我们觉得还是有必要简单介绍一下DDR2内存的来龙去脉。为大家带来一些关于DDR2内存的技术优势。
DDR2 核心技术简介 ：
DDR2是由JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council 电子元件工业联合会）即多家得生产厂商制定的国际性协议，是DDR内存下一代全新的技术标准。DDR2内存起始频率将从DDR内存最高标准频率400MHz开始，而目前市场上消费者可以买到的型号为DDR2 533MHz以及667MHz，而800MHz的型号在最近的这段时间的出现率将会逐渐增多，而1066MHz的DDR2内存标准也离我们不不远了。而DDR2 400/533/667/800的标准工作频率工作频率分别为200/266/333/400MHz，工作电压同样都为1.8V。DDR2采用全新定义的240 pin DIMM接口标准，完全不兼容于现有DDR的184 pin DIMM接口标准，这就意味着现有所有DDR标准接口的主板，无法再继续使用DDR2内存。这成为了DDR2内存标准在上一个年内难以普及的一大障碍，但目前这种情况已经随着高端的芯片组不断下滑，并且内存厂商也有一定的市场操作，DDR2内存已经基本被Intel中高端平台的用户得到认可。
DDR2的内存模块拥有着三个全新的核心技术，包括OCD、ODT以及Post CAS技术。
- OCD Off-Chip Driver称作离线驱动调整 DDR2通过OCD可以提高信号的完整性。DDR2通过调整上拉Pull-Up和下拉Pull-Down的电阻值使两者电压相等使Pull-Up = Pull-Down。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性，并且可以通过控制电压来提高信号品质。
- ODT是内建核心的终结电阻器 使用DDR内存的主板上需要大量的终结电阻，至少每根数据线俗称金手指需要一个终结电阻，意味着增加了主板的制造成本。信号线上使用终结电阻是为了防止数据线终端反射信号，因此需要一定阻值的终结电阻器。阻值太大或者太小都不好，阻值较大线路，信噪比较高，信号反射则更为严重，阻值小可以减小信号反射，但是会造成信噪比的下降。此外由于不同的内存模组对终结电阻的要求也不可能完全一样，因此主板对内存模组也就会出现某些兼容性得问题。DDR2内建了终结电阻器，在内存颗粒工作时把终结电阻器关掉，而对于不工作的内存颗粒则打开终结电阻，减少信号的反射。ODT为DDR2带来了两方面的好处，一是去掉了主板上的终结电阻器有效降低了主板的成本，方便了主板厂商的设计；二是终结电阻器可以和内存颗粒的兼容性更佳，保证了系统的稳定性。
- Post CAS是为了提高DDR2内存的利用效率而设定的 在Post CAS操作中，CAS的读写与命令信号能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟Additive Latency后面保持有效。原来的tRCD(RAS 到 CAS 和延迟)被AL(Additive Latency)所取代，AL可以在0、1、2、3、4中进行设置。由于CAS信号放在RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。使用Post CAS与Additive Latency可以很容易地取消掉命令总线上的Collision碰撞现象，并且可以提高了命令和数据总线的效率，可以提高实际的内存带宽。
第二页，产品介绍1
产品介绍 ：
作为世界最大的半导体内存颗粒供应商，三星性能优秀的内存颗粒已经被广泛应用在目前最高端的显卡和众多的内存品牌中，性能、稳定和兼容性勿庸置疑。在此之前，很多人都认为作为三星原厂内存的在国内销售的三星金条，价格相对较高，但是十分受用户欢迎的，只是在国内很多地区买不到。
但是这种情况已经有了极大的转变，随着三星内存在国内的渠道调整，代理的增加，现在购买三星内存已经相当的方便，价格也与KingSton等品牌相若，甚至更低，对于很多喜欢三星原厂品质及性能的朋友而言是相当利好的消息，而三星金条的销售情况也日渐上升。
这对三星金条PC2-6400U 512M的内存模组采用了单面设计，内存模组的正面设计有8颗采用MBGA封装的内存颗粒，内存颗粒单颗的规格为512Mbit，因此单颗的容量为64M，三星的这种内存颗粒也是很多主板厂商的兼容性列表中的推荐产品。
在内存颗粒上贴有内存的信息标签，可以了解到内存工作在DDR2 800MHz的模式下，默认的工作参数为5/5/5/12。此外，还标识有内存模组M378T6553CZ3-CE7的具体型号，生产周期为05年48周。
而在另外一侧的颗粒上贴有防伪标签以及防伪电话的查询序列号码。
第三页，产品介绍2
产品采用的是K4T51093QC内存颗粒
内存颗粒采用的是32Mbit×4 I/Os×4 banks配置，它的最高传输速率可以达到800Mb/sec/pin （DDR2 800MHz）。它具有DDR2所拥有的posted CAS和附加延时，写延时=读延时-1。而OCD阻抗校正和内建的终结电阻（ODT），所有的控制和地址输入同步于一对差分时钟信号。输入锁定差分时钟的交差点（crosspoint），提供精确的时钟信号。
从图中我们可以更清楚地看到三星金条的做工及用料，焊点相当饱满，元件的排列也是相当的整齐，保持了世界顶级大厂的一贯风格。
而金手指方面，我们也可以看到三星金条是毫无疑问的采用了成本更高但是耐用性也更好的电镀，电镀的金手指耐磨度和电气性能更好。
内存信息读取 ：
我们通过最新版本的CPUz1.31.2可以了解到这对内存在三个频率下的默认SPD参数，而在实际的测试中，这对内存的表现要远远由于这些数值，而性能表现也比较突出。
第四页，测试平台
测试平台 ：
硬件平台
CPU
Intel Pentium 4 EE Prescott 3.73G(ES)LGA775
主板
ASUS P5WD2-E Premimum (i975X+ICH7R)
内存
SAMSUNG PC2-6400U DDR2 800 512m x2
硬盘
WesternDigital 160JS 8m Cache SATA Interface
显卡
XFX GeForce6 6800GS 256M
软件平台
系统软件
WindowsXP Professional(5.01.2600 SP2)_enDirectX 9.0C
驱动程序
Intel infinst_autol_7.2.2.1006nVIDIA 81.89 WINXP-2K International WhqLRealtek HD Audio System Software Ver:R1.17
测试软件
CPUz v1.31.2Futuremark PCMark 05 v1.1.0 SiSoftware Sandra Professional 2005 SR3SciencceMark 2.0 MembenchSuperPI EnglishWinRar v3.50_en Benchmark & Hardware test
DRAM 相关设置参数说明 ：
- CAS Latency(CL)： 内存CAS(Column Address Strobe，列地址选通脉冲)延迟时间控制DRAM内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统，我们应当尽量把CAS参数调低。Row Active Delay(tRAS)： 内存行地址选通延迟。调整这个参数需要结合具体情况而定，不同的平台对应不同的设置。 RAS-to-CAS Delay(tRCD)： 内存行地址控制器到列地址控制器的延迟时间。该参数可以控制内存行地址选通脉冲信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟，参数越小速度越快。 Row Precharge Delay(tRP)： 内存行地址选通脉冲预充电时间。该参数可以控制在进行DRAM刷新操作之前行地址选通脉冲预充电所需要的时钟周期数，数值越小速度越快。
第五页，测试说明测试说明 ：DDR2 533MHz(3/3/3/5) 在测试中，我们首先尝试通过增加内存的工作电压而获得更高的工作频率或者更低的延迟时间，但令我们失望的是这对三星金条对电压的调整似乎并不敏感，我们把内存的工作电压增加至2.3v的状态下，其最高的工作频率也就是DDR2 800MHz水平左右，而具体的参数也和内存预设的SPD值相仿，因此接下来的测试数据我们均采用1.8v的默认电压来完成。 DDR2 667MHz(4/4/4/5) 我们会利用3组测试数据进行成绩比较，分别为以DDR2 533MHz(参数为3/3/3/5)、DDR2 667MHz(参数为4/4/4/5)以及DDR2 800MHz(参数为5/5/5/5)。DDR2 800MHz(5/5/5/5) 令人比较满意的是在默认电压的情况下，其中Cycle Time（tras） 这个参数在三个频率的测试中都可以实现5 Clocks，相比起预设的SPD值要更为低一点，而测试的成绩也有一点点的提高。第六页，测试成绩测试成绩 ：Item of Test
Comparing Platform
@533 3/3/3/5
@667 4/4/4/5
@8005/5/5/5
Futuremark PCMark05 Memory Score
Overall
5010
4979
5031
Memory Read-16MB
7661.853 MB/S
7584.893 MB/S
7837.122 MB/S
Memory Write-16MB
5375.360 MB/S
5363.571 MB/S
5388.061 MB/S
Memory Copy-16MB
5759.613 MB/S
5778.786MB/S
5930.030 MB/S
Memory Latency Random-16MB
10.665 MAcesses/S
10.257 MAcesses/S
10.649 MAcesses/S
SiSoftware Sandra Professional 2005
RAM Int Buffered iSSE2
6600 MB/S
6618 MB/S
6679 MB/S
RAM Float Buffered iSSE2
6568 MB/S
6602 MB/S
6651 MB/S
SuperPI_en
1M
33s
34s
33s
8M
6m19s
6m20s
6m15s
SciencceMark Membench
5890.40MB/S
5864.02MB/S
6030.12 MB/S
WinRar Benchmark Hardware test
468KB/s
535KB/s
554KB/s
第七页，文章总结与分析
总结 ：
从测试的性能来看，DDR2 800MHz的标准搭配最顶级的Intel 975x芯片组，其内存的带宽确实发挥得淋漓尽致，相比起以往的Intel 955x平台其成绩也有相当的提高。但令我们失望的是这对三星金条对电压的调整似乎并不敏感，我们把内存的工作电压增加至2.3v的状态下，其最高的工作频率也就是DDR2 800MHz水平左右，而具体的参数也和内存预设的SPD值相仿。虽然我们从测试的数据来看，成绩数字的提升是明显的，但在实际的应用上所感觉到的却是十分有限。导致这样的结果主要的原因就在于我们这次的测试只是把内存异步工作在DDR2 800的标准下，而不是与处理器的外频跑同步，当然一般处理器的外频也不可能与这对内存跑同步，但对于1066MHz前端总线或者通过超频而获得更高前端总线再配合这对内存使用测试的话会有更为优秀的成绩，当然如此的体验就不仅仅在于成绩之上了，前端总线的提供加上内存频率的增加令其带宽得到进一步的扩展，如此性能优势将会在我们日常的大型软件操作、媒体处理以及游戏项目的运行得以体现。
在短短的一年时间内，随着Intel的大力吹鼓与支持，DDR2内存模组已经成为目前LGA775中高端平台的标准配置，目前除了Intel自身的芯片组支持DDR2内存之外，其他芯片组厂商如ATi、nVIDIA、VIA、SiS等都有相关支持DDR2内存模组的主板推出，可见DDR2内存已经是大势所趋了。相比起目前的DDR平台，DDR2内存目前最为欠缺的仍然是其工作参数时序的问题，而我们这次测试的这对三星金条的DDR2 800的内存模组在533MHz的标准下已经可以通过默认电压工作在CL 3 clocks的水平下，可以看出通过芯片厂商工艺的不断提高，DDR2内存模组的这一缺点将会得到逐步地解决。而在测试数据我们也可以看到一个问题，就是更低的延迟时间如DDR2 533MHz参数为（3/3/3/5）相比起更高频率的DDR2 667MHz（参数为4/4/4/5）在大部分的测试中可以获得更高的成绩，因此更低延迟时间对DDR2的效能提升还是有比较明显的作用。
而DDR2内存的特点就在于其工作电压低仅仅为1.8V，对于移动平台来说可以更有效地减少发热量和功耗问题，而对于桌面的平台来说，首先是热量可以大大地减少，在这次测试中我们把其工作电压提升至2.3V的水平，但其发热量控制也是十分理想的，芯片在整个测试过程中都没有感到明显的发热温度十分低。而由于其低发热量的特性，应此其可以很轻松地实现更高的工作频率，相比起DDR内存模组更具优势，对于DIY的超频用户可以更容易地与处理器的前端总线结合从而获得更佳的性能。而目前DDR2 533标准的内存单价已经和DDR的相差无几，而中高端的DDR2 667以及800让消费者选购的最大障碍就在于其价格问题，其价钱也并不是一般消费者能够负担。
