据外电消息，三星已经使用50纳米工艺成功开发首款了4Gb内存芯片，这项技术突破的背后，意味着单条32GB DDR3内存将成为可能。
去年9月，三星宣布了2Gb内存芯片，从而完成了单条容量为16GB的内存，但这款产品并没有大量进入市场。价格因素可能是主要原因。目前采用50纳米工艺的4Gb DDR3内存芯片的功耗比前代DDR3产品显著降低。由于功耗降低，在采用双芯片封装技术后三星公司称它可以实现单条32GB内存。
根据三星的最新技术文档显示，新款内存芯片的工作电压为1.35伏特，最大传输速度可达1.6Gbps。即便16GB的50纳米内存，功耗也不会超过现有的2GB DDR3内存。
据IDC预测，随着个人电脑系统中DDR3内存使用量的稳步增加，预计至2011年DDR3内存将占到DRAM市场份额的72%。不过今年DDR3内存的出货量仅占DRAM市场的29%。
