三星拟投资30亿在美建厂 巩固闪存垄断地位

北京时间10月6日消息，据国外媒体报道，三星电子计划投资30亿美元在美国德克萨斯州奥斯丁修建一座芯片工厂，这是迄今为止韩国公司规模最大的海外投资计划。三星电子最早将于下月同奥斯丁市达成协议。

三星电子一位高管本周四称，该公司暂时决定明年初在奥斯汀再修建300毫米晶圆生产线，并于明年底投入运营。三星电子董事会副主席Yoon Jong-yong本周三向韩国国会审计机构通报了这一计划。

三星电子现有的奥斯丁工厂建于1998年，主要生产DRAM内存芯片。三星电子位于奥斯丁的新工厂将主要生产NAND闪存，该公司希望通过此举进一步巩固在全球闪存市场的垄断地位。