Samsung研制成功16GB NAND闪存

9月12日

9月12日，三星在韩国汉城宣布成功开发出16GB的NAND闪存芯片。这款16GB的NAND闪存首次采用业界领先的50纳米制造工艺和三星的3D-transistor架构，并且具备了批量生产的能力。

16GB闪存的研制成功进一步加快了NAND闪存的市场扩张，同时消费电子和各种移动设备的应用也将得到加强。由于采用了50纳米制造工艺，这种16GB的闪存比去年发布的8G闪存体积更小，三星计划在2006年下半年大规模生产16GB的NAND闪存。