三星开发512MGDDR3 DRAM芯片

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[PChome.net北京消息]三星电子日前表示,它们开发出了基于90纳米工艺、面向图形领域的512M的GDDR3 DRAM芯片,其运行速度达到了8.0Gps 。

与此同时,三星公司于去年12月份新推出的 512M GDDR3、运行速度达到6.4Gps的图形芯片开始了批量生产。三星采用90纳米工艺、512M的图形DDR3 DRAM芯片目前已开始在全球范围内规模投产。

512M的GDDR3 DRAM图形芯片,所具备的高性能数据传输速率被认为是未来游戏控制台上的选用芯片。

市场调研公司 Mercury Research预测,2005年全球图形芯片市场收入将增长43%,达到15亿美元,预计到2006年,该市场销售收入将超过20亿美元。

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