英特尔日前展示了其下一代65纳米制程技术，并且宣称已经用于大量生产以前在90纳米制程上生产的SRAM。英特尔希望2005年在更多产品上使用65纳米制程技术，包括处理器。
英特尔日前使用65纳米工艺成功地生产出了4M SRAM模块。因为SRAM单元尺寸越小，就越能在处理器中集成更多的缓存，越能提高处理速度。当这些SARM单元的工作电压低于0.7V时，具有很大的噪音容许范围，因此具有良好的开关切换特性，可以稳定地工作。
去年八月，英特尔已经宣布在功能上使用65纳米工艺实现了70M SRAM，这意味着在1平方厘米的面积中可以排列1000万个晶体管。
