内存技术之争已然白热化
当今的内存技术之争已然白热化，几大厂商都在全力推动自己新型内存技术的发展，其中尤以RDRAM和DDR的较量最为激烈。DirectRambus DRAM(DRDRAM)“接口动态随机存储器”，这是Intel所推崇的未来内存的发展方向，它将RISC(精简指令集)引入其中，依靠高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量。DDRSDRAM(DualdaterateSDRSM)简称DDR，是“双倍速率SDRAM”的意思，由于它在时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输，所以即使在133MHz的总线频率下的带宽也能达到2.128GB／S。因为制造普通SDRAM的设备只需稍作改进就能进行DDR内存的生产，而且它也不存在专利等方面的问题，所以它代表着未来能与RAMBUS相抗衡的内存发展的一个方向。不过，虽然我们已经听到了DDR强劲的“心跳”，但是由于DDR价格依然偏高，且不具备良好的向下兼容性，对于国内市场来说，质量优异的品牌SDRAM还是会有很大的生存空间的。
呵呵！看了我们内存拒绝色情哦！挡住了我们不该看的东西！：）
对于SDRAM来说，很长时间以来在国内市场上就根本见不到任何“品牌”的内存，而只是LG、HY充斥天下，所谓的LG、HY只不过是运用HY的晶圆而在国内加工的内存条，甚至有些是小作坊中手工焊接的产品，这种产品质量当然是参差不齐。之后，国内第一个品牌内存————KingMax异军突起，几年来凭借其先进的技术、完善的售后服务及快速的新品推出逐渐得到了用户的认可，KingMax一度成为内存市场上“品质”的代名词。
品牌内存纷纷“抢滩”这个庞大的市场
KingMax的成功使得国内内存市场逐渐为众多内存厂商所重视。2001年，品牌内存纷纷“抢滩”这个庞大的市场，随着Kingston、KingHorse、创见、Transcend、Winward、apcer、PQI、金邦、现代(原厂)、大度等品牌的出现，内存条市场的平衡再次被打破。各个内存厂商都大展拳脚，新品纷纷推出，整个内存市场显得热闹非凡，即使在今年较为冷清的Comdex2001展会上，内存厂商也较以往有所增加。同时，由于国际市场上128MDDRDRAM颗粒的价格在四月底、五月初已经跌至6美元以下，这无疑保持了对SDRAM的强大压力，也将进一步推动品牌SDRAM内存市场的争夺，这一阶段哪个品牌能够脱颖而出，将会使其在此后向DDR的转型中占据有利的位置。
在IT产业，只有从技术上领先才能够有实力竞争，Kingmax内存就是以其优秀的超频性能在发烧友中享有很好的口碑。Kingmax内存的芯片采用了其专利的TinyBGA技术封装，它的体积只有TOSPII封装的一半大小。由于这种封装形式的内存颗粒体积较普通的内存颗粒要小1／2，所以，所产生的热量也比普遍内存要小得多，同时对于提高内存的稳定性，减少电磁干扰都有好处。
Kingmax坚持在技术上推陈出新，相对于国内内存市场上不断的价格风波来，可以说是要理智得多。同时，Kingmax也在不断地推动自身技术的发展。TinyBGA封装技术在业界一直处于领先地位，以前这项技术作为专利，为KingMax实现更好的产品性能带来了极大的利益，但是没有竞争对手就不会进一步完善自身，不久之前，KingMax将TinyBGA技术公开，授权给其它厂商使用，使这项技术得到进一步的完善。同时KingMax透露，他们已经研发出更先进的封装技术，那将是他们更厉害的“杀手锏”。
相比市场的喧闹，KingMax的沉默反倒体现出了一个成熟IT厂商的气质。当然，沉默并不代表停滞，在RDRAM与DDR之争尚未明了之前，KingMax要做的就是加强实力，蓄势待发。内存市伴随着新技术的逐渐成熟，厂商也开始脱离出单纯的价格竞争，立足品牌市场趋于有序化，新世纪的内存市场到底谁主沉浮，大家还是拭目以待吧。
如何识别 DDR 和 SRDAM 内存
－如何识别 DDR 和 SRDAM 内存
去年 VIA 提出了 DDR 的内存规范，时至今日， DDR 已经降到了 500 元左右，相信不久以后 DDR 必定成为普通家庭的座上客。
由于目前市面上 DDR 内存品种较少，而且不少用户不能正确识别真正的 DDR 内存，基于此，我特向大家介绍一下 DDR 和普通 SDRAM 的区别。
DDR 的原理是很简单的。当新的内存模块的时钟频率与普通SDRAM的速度一样时，它能够通过在时钟信号的上升和下降沿都传送数据而使同一时间传送的数据量加倍。DDR比起PC133 SDRAM还有一个重要的提高：它的电压供应只需2.5V，取代了原有的3V。这一点加上内存芯片内部较低的电容导致了电力消耗明显减少，使得DDR-SDRAM对笔记本电脑也很有吸力。
DDR内存
普通 SDRAM内存
大家可以从上图清楚的看见两者的区别，其实这也是两者之间从外观上的最大区别： DDR内存使用的184线，而普通SDRAM使用的168线，模块本身看起来与普通SDRAM几乎一摸一样，但是它只有一个缺口，而我们常见的普通SDRAM－DIMMs上有两个缺口。
值得提醒大家的是 DDR与我们正在使用的SDRAM 不兼容。虽然现在不少主板提供了对这两种内存的支持，板上建有两种规格的DIMM槽，但是两者并不能同时使用，同时两种内存还不能插错插槽，否则您的内存极易被烧毁。
芯片识内存
芯片识内存
内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日，韩厂家，欧美及中国［含台湾省］厂家等等。看编号识内存芯片是了解内存的一 个好方法，下面笔者就千辛万苦收集了一大批资料，带你去了解下它们：
主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下： 现代电子HYUNDAI：HY［注：代号］ 三星SAMSUNG：KM或M NBM：AAA 西门子SIEMENS：HYB 高士达LG-SEMICON：GM HITSUBISHI：M5M 富士通FUJITSU：MB 摩托罗拉MOTOROLA：MCM MATSUSHITA：MN OKI：MSM 美凯龙MICRON：MT 德州仪器TMS：TI 东芝TOSHIBA：TD或TC 日立HITACHI：HM STI：TM 日电NEC：uPD IBM：BM NPNX：NN
日本产系列 一.日本产系列： 主要厂家有Hitachi［日立］，Toshiba［东芝］，NEC［日电］，Mitsubishi［三菱］等等，日产晶圆的特点是品质不错，价格稍高。 1.HITACHI［日立］。
日立内存质量不错，许多PC100的皆可稳上133MHz。它的稳定性好，做工精细，日立内存芯片的编号有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2，B60的CL是3。市面上B60的多，但完全可超133MHz外频， HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式： HM 52 XX XX 5 X X TT-XX HM代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。 第1、2个X代表容量。 第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。 第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到"F"了。 第6个X如果是字母"L"就是低功耗。空白则为普通。 TT为TSOII封装。 最后XX代表速度： 75：7.5ns［133MHz］ 80：8ns［125MHz］ A60：10ns［PC-100 CL2或3］ B60：10ns［PC-100 CL3］ 例如：HM5264805F-B60，是64Mbit，8位输出，100MHZ时CL是3。
NEC 2.NEC。
NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式： μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX μPD4代表是NEC的产品。 "5"代表是SDRAM。 第1、2个X代表容量。 第3或4个X表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。当数据位宽为16位和32位时，使用两位，即占用第4个X。由于NEC的标识的长度固定，这会对下面的数字造成影响。 第4或5个X代表Bank。"3"或"4"代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；"2"代表2个Bank。 第5个X，如为"1"代表LVTTL。如为16位和32位的芯片，第5个X已被占用，则第5个X有双重含义，如"1"代表2个Bank和LVTTL，"3"代表4个Bank和LVTTL。 G5为TSOPII封装。 -A后的XX是代表速度： 80：8ns［125MHz］ 10：10ns［PC100 CL 3］ 10B：10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范。 12：12ns 70：［PC133］ 75：［PC133］ 速度后的X如果是字母"L"就是低功耗，空白则为普通。 -XXX：第一人X通常为数字，如64Mbit芯片上常为准，16Mbit芯片上常为7，规律不详。其后的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。估计与封装外型有关："NF"对应: 44-pinTSOP-II；"JF"对应54-pin TSOPII；"JH"对应86-pin TSOP-II。 例如：μPD4564841G5-A80-9JF，64Mbit，8位，4个Bank，在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2。
TOSHIBA 3.TOSHIBA东芝。
TOSHIBA的芯片上的标识为以下格式： TC59S XX XX X FT X-XX TC代表是东芝的产品。 59代表是SDRAM系列。其后的S为普通SDRAM，R为Rambus SDRAM，W为DDR SDRAM。 第1、2个X代表容量。64为64Mbit，M7为128Mbit。 第3、4个X表示数据位宽，04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。 第5个X估计是用来表示内核的版本。目前常见的为"B"。 FT为TSOPII封装。 FT后如果有字母"L"就是低功耗，空白则为普通。 最后的XX是代表速度： 75：7.5ns［133MHz］ 80：8ns［125MHz］ 10：10ns［100MHz CL=3］ 例如：TC59S6408BFTL-80，64Mbit，8位，可正常工作在125MHz，且为低功耗型
慧眼识硬件－真假内存
慧眼识硬件－真假内存
内存市场"水货"居多已是不争的事实了。对我们这些消费者来说，买到"水货"内存倒没什么，最怕的是买到伪劣内存。让我们来给这些伪劣产品曝曝光：
１．七拼八凑 这种内存条以72线产品居多。因为各大内存厂商都已经不再生产72线内存，从而给了造假者可趁之机。这些造假者从各种渠道找来内存颗粒和廉价的劣质PCB板自己焊接，造出了大量的伪劣内存条。其主要表现症状为：同一条内存上,内存颗粒的出厂时间不一或是品牌不同。笔者就曾经见过这样一根内存条，其内存颗粒竟然有NEC和日立两种。 ２．修修补补 这种内存同样以72线产品居多，其主要症状为,内存生产时工艺不良或是线路设计有问题，从而造成内存成品不合格，无法使用,生产者只能再手工焊上一些元器件，只要内存能够点亮，管你稳定不稳定。笔者曾看到这样一根内存，在一块内存颗粒的引脚和金手指引脚之间焊有一根细细的电线！仔细观察其PCB电路板，发现PCB板上的线路竟然是断的。不过，这种内存主要是流入了一些攒机商的手中，零售市场比较少见，而且既便遇上了，也很容易看出来。 ３．鱼目混珠 这种货色在主流市场就比较常见了。某些不法商贩用劣质的内存条冒充名牌产品，这些内存虽然使用的是同样的内存颗粒，但是PCB板的质量和整个内存条的做工却不可同日而语。如果真正的名牌产品能够使用在133MHz下的话，那么使用同样内存颗粒的低档货可能在112MHz上都会频频死机。我们在购买时，不只是要看内存颗粒的标识，还要多多留意PCB电路板的做工。 ４．弄假成真 这就是最常见的Remark了，尤以SDRAM为甚。某些不法商贩将低价收购来的低档无品牌内存颗粒打磨后印上诸如LG等大厂的标识，然后做成成品,低价出售。笔者今天在市场上见到这样一条内存，其标识显然是后来印上的，可以明显看出打磨过的痕迹，用手一摸就可以清楚感到打磨过的粗糙感。以上就是我们在市场上最常见的伪劣内存的特点，鉴于有些假货比较难以分辨，大家在购买时不要一味贪图便宜，为了节省那几十块钱买到假货的话，可就得不偿失了。
