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[PChome.net北京]通过推出新的闪存产品，英特尔公司正在将其StrataFlash技术推进到新的水平。
英特尔公司的StrataFlash Embedded Memory产品包括从64M位到1G位的多种不同的存储密度，能够满足数码相机、手机、网络路由器等不同产品的需求。英特尔公司的女发言人玛丽表示，这将是未来数年内的首款新产品，它满足了嵌入式设备厂商对闪存性能和存储密度的需求。
由英特尔公司开发的NOR闪存技术且恢纸闲碌纳链婕际酰芄惶岣咝酒拇娲⒚芏龋沟盟晌度胧缴璞负鸵?!---->动设备的一种很好的选择。英特尔公司的第四代多级单元技术能够在一个存储单元中存储2个数据位，减小了芯片面积，提高了存储密度。
玛丽表示，StrataFlash Embedded Memory有多种封装形式，存取时间更快，安全性能更高，对电压要求较低，能够有效地延长电池的使用时间。它将被包含在英特尔公司的新一代Spartan3E参考设计工具包中。
英特尔公司将在2005年第二季度推出存储密度在64M位到512M位的产品，并将在2005年下半年推出1G位的产品。
在迅速增长的NOR闪存市场上，英特尔和AMD斗了个旗鼓相当。2004年，AMD、富士通组建的合资企业Spansion在NOR闪存市场上的市场份额为24%，英特尔公司的市场份额为23.2%。ISuppli预测，到2008年，NOR闪存将占领80%的手机市场。
