英飞凌科技公司日前宣布推出全球第一条采用双芯片(dual-die)技术，存储容量达4 GB的服务器用DDR2 Registered DIMM内存模组样品。
这种新模组使用18颗2Gb的DDR2内存颗粒，该颗粒由两片1Gb DDR2 SDRAM芯片堆叠实现。这种技术被称为双芯片技术，可以将内存颗粒容量增加一倍，而厚度仅增加0.1毫米。英飞凌的4GB DDR2 registered DIMM内存模组厚4.1毫米，高30毫米，比同类产品的厚度减少约40%，优于JEDEC对堆叠解决方案的要求。
这种更薄的内存模组可以改善高端DDR2服务器系统内的气流和散热状况，使每一服务器可以使用四条4 GB的内存模组，总存储量达到16 GB。
英飞凌的科学家通过将两片相同的芯片在一个球栅阵列封装(BGA)内堆叠起来，从而实现了双芯片技术。英飞凌首先掌握了批量生产高速DDR2双芯片内存芯片的技术。为满足生产要求，英飞凌在生产工艺方面采取了必要的措施，解决了散热、电气、密度、体积和能耗等因素相互影响的难题。
常见的堆叠封装技术只是将两颗内存颗粒简单地堆叠起来，相比之下，英飞凌的双芯片技术可以使内存模组的体积更小，且电气和散热性能更好。
