近日，台积电在台南科学园建立了新的3nm工厂，预计将会在2020年下半年正式投产，而该工厂主要制作的则是3 纳米芯片，预计单月产能能达到 5.5 万片。报道援引台积电董事长刘德音称，3纳米芯片开始量产时公司在台南科学园的雇员数将达到约2万人，目前为1.5万人。
今年 8 月份，台积电高级副总裁米玉杰表示，该公司有计划继续提供有意义的节点改进，直到 N3 及以下。台积电预计 N3 将在 2022 年成为最新、最先进的节点。与 N5 相比，收益同样不大，性能仅提升 1.1-1.15 倍，功耗降低 1.25-1.3 倍。这些增益是相对于 N5 而言的，而不是 N5P。与 7 纳米相比，N3 在同样的功率下，性能应该提高 1.25 倍 - 1.35 倍，或者在同样的性能下功耗降低 1.55 倍 - 1.6 倍。在这些比较中，你看到的所有倍数都是假设一个理想化的晶体管，并不一定符合 AMD、英特尔甚至英特尔实际制造的产品。
据了解，台积电 N3 将继续使用 FinFET 鳍式场效晶体管，而不是过渡到 GAA 环绕式结构场效晶体管。这与三星不同，三星已经表示要在 3 纳米节点使用 GAA
