10月17日，ATI终于正式发布了旗下首款80nm显卡——Radeon X1950Pro，我们也于第一时间为大家进行了详细的报道。X1950Pro最显著的特性就是RV570核心集成了交火合成引擎，交火组建方式变得更简单、双卡成本降低、交火效能提高：
双向桥接全新交火!80nm X1950Pro赏析
除了交火方面的改进之外，RV570核心首次采用了先进的80nm工艺，晶体管数减少到3.3亿个，核心面积只有230平方毫米。而ATI之前的R580核心集体管数达到了3.84亿、核心面积高达352平方毫米。很显然RV570核心成本更低、功耗发热更小、拥有冲击更高频率的实力！
RV570和R580核心对比
那么80nm工艺的RV570核心在功耗方面能比90nm的R580强多少呢？国外AnandTech网站对此进行了测试：
这是待机功耗
这是3D满负功耗
X1950Pro的频率为600/1400MHz，而X1900GT的频率只有515/1300MHz，但是在功耗方面X1950Pro明显低于X1900GT。期待已久的RV570核心果然没有让我们失望！
不过NVIDIA 7900GS的功耗控制依然是最出色的，一来核心晶体管少（2.78亿），二来频率低（450/1320MHz）。但通过测试成绩来看X1950Pro的性能要比7900GS强不少，所以功耗稍高一些还可以接受。
