海力士推出新型混合架构：融合HBM与HBF技术，能效比提升2.69倍

2026年2月13日消息，SK海力士近日在IEEE全球半导体大会上发表论文，提出一种名为H³的新型混合半导体架构，该结构结合了HBM与HBF技术。

2026年2月13日消息，SK海力士近日在IEEE全球半导体大会上发表论文，提出一种名为H³的新型混合半导体架构，该结构结合了HBM与HBF技术。

据了解，通过融合HBM高带宽内存和HBF高带宽闪存的新型混合架构，将AI计算的能效比提升高达2.69倍，为AI芯片性能瓶颈提供了全新解决方案。在仿真实验中，将8颗HBM3E与8颗HBF芯片并置于英伟达Blackwell GPU旁，结果显示，相比仅使用HBM的配置，每瓦性能最高可提升2.69倍。这一架构通过优化存储层级，兼顾高速计算与高效能数据缓存，有望显著提升AI计算系统的能效比。