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电脑之家（PChome）12月22日消息，据国外媒体报道，专业内存制造商海力士（Hynix）宣布，其已经研发成功世界首款40nm工艺的2GB GDDR5 DRAM。这款新显存将用于制造显卡及游戏主机，其电压为1.35V，功率将比使用同种硅材质制造的50nm产品降低20%，而产品速率将高达7Gbps（速度为7000MHz），带宽为32位。
这款40nm工艺的2GB GDDR5显存将在2010年进入市场，我们将在Nvidia和AMD下一代GPU产品上看到海力士这款显存的身影。
对这款新一代40nm工艺制造的2GB GDDR5显存感兴趣的玩家请关注PChome的后续报道。
